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技術(shù)文章

Technical articles

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  • 201812-10
    電子軸偏差測量?jì)x/軸偏差測量?jì)x

    電子軸偏差測量?jì)x/軸偏差測量?jì)x/軸偏差型號:DP/ZPY-60專(zhuān)業(yè)用于食品、化妝品、藥品等行業(yè)各種瓶容器的垂直度偏差的測定,該儀器具有操作方便,定心度、測定度等特點(diǎn),是瓶廠(chǎng)、瓶用戶(hù)及科研單位檢測瓶垂直度偏差的儀器。產(chǎn)品應用特征★微電腦控制、大液晶顯示★自動(dòng)統計大值、小值、偏差值,方便用戶(hù)分析結果★夾具操作簡(jiǎn)便,定心度,提了測定度?!颬VC面板,簡(jiǎn)單直觀(guān),操作方便,★測量頭自動(dòng)升降,調節測點(diǎn)位置,方便實(shí)用★試驗結束自動(dòng)報警提示,人性化★配有微型打印機,快速打印測試結果★專(zhuān)業(yè)計算...

  • 201812-7
    塞曼效應實(shí)驗儀(電磁型) 型號:DP-FD-ZM-B

    塞曼效應實(shí)驗儀(電磁型)型號:DP-FD-ZM-B1896年,荷蘭物理學(xué)家塞曼(P.Zeeman)發(fā)現當光源放在足夠強的磁場(chǎng)中時(shí),原來(lái)的條光譜線(xiàn)分裂成幾條光譜線(xiàn),分裂的譜線(xiàn)成分是偏振的,分裂的條數隨能級的類(lèi)別而不同,后人稱(chēng)此現象為塞曼效應。塞曼效應是繼英物理學(xué)家法拉1845年發(fā)現磁致旋光效應,克爾1876年發(fā)現磁光克爾效應之后,發(fā)現的又個(gè)磁光效應。塞曼效應不僅證實(shí)了洛侖茲電子論的準確性,而且為湯姆遜發(fā)現電子提供了證據。還證實(shí)了原子具有磁矩并且空間取向是量子化的。1902年,塞...

  • 201812-7
    法拉效應塞曼效應綜合實(shí)驗儀 DP-FD-FZ-C

    法拉效應塞曼效應綜合實(shí)驗儀型號;DP-FD-FZ-C1945年,法拉(Faraday)在探索電磁現象和光學(xué)現象之間的聯(lián)系時(shí),發(fā)現了種現象,當束平面偏振光穿過(guò)介質(zhì)時(shí),如果在介質(zhì)中,沿光的傳播方向上加個(gè)磁場(chǎng),就會(huì )觀(guān)察到光經(jīng)過(guò)樣品后偏振面轉過(guò)個(gè)角度,亦即磁場(chǎng)使介質(zhì)具有了旋光性,這種現象后來(lái)稱(chēng)為法拉效應。1896年,荷蘭物理學(xué)家塞曼(P.Zeeman)發(fā)現當光源放在足夠強的磁場(chǎng)中時(shí),原來(lái)的條光譜線(xiàn)分裂成幾條光譜線(xiàn),分裂的譜線(xiàn)成分是偏振的,分裂的條數隨能級的類(lèi)別而不同,后人稱(chēng)此現象為塞...

  • 201812-7
    法拉-塞曼效應綜合實(shí)驗儀 DP-FD-FZ-I

    法拉-塞曼效應綜合實(shí)驗儀型號;DP-FD-FZ-I1945年,法拉(Faraday)在探索電磁現象和光學(xué)現象之間的聯(lián)系時(shí),發(fā)現了種現象,當束平面偏振光穿過(guò)介質(zhì)時(shí),如果在介質(zhì)中,沿光的傳播方向上加個(gè)磁場(chǎng),就會(huì )觀(guān)察到光經(jīng)過(guò)樣品后偏振面轉過(guò)個(gè)角度,亦即磁場(chǎng)使介質(zhì)具有了旋光性,這種現象后來(lái)稱(chēng)為法拉效應。1896年,荷蘭物理學(xué)家塞曼(P.Zeeman)發(fā)現當光源放在足夠強的磁場(chǎng)中時(shí),原來(lái)的條光譜線(xiàn)分裂成幾條光譜線(xiàn),分裂的譜線(xiàn)成分是偏振的,分裂的條數隨能級的類(lèi)別而不同,后人稱(chēng)此現象為塞曼...

  • 201812-6
    固體介質(zhì)折射率測定儀 型號;DP-FD-OE-3

    固體介質(zhì)折射率測定儀型號;DP-FD-OE-3折射率是反映介質(zhì)光學(xué)性質(zhì)的重要參數之。本儀器采用的實(shí)驗方法,在光學(xué)測量中具有典型性和基本要求的特點(diǎn)。用測布儒斯特角的方法測量透明介質(zhì)的折射率及利用測量激光照射半導體薄片的反射系數方法,測量分半導體如硅、砷化鎵等介質(zhì)的折射率。本儀器具有體積小,重量輕,調節方便,裝置牢靠,實(shí)驗數據穩定可靠等優(yōu)點(diǎn)。本儀器可用于基礎物理實(shí)驗,性與研究性物理實(shí)驗及物理奧林匹克競賽培訓實(shí)驗用。本儀器具有以下優(yōu)點(diǎn):1.采用強度鋁合金材料制成,表面經(jīng)陽(yáng)氧化處理,...

  • 201812-6
    型模擬斷路器 模擬斷路器 型號:DP-GC-MY

    型模擬斷路器模擬斷路器型號:DP-GC-MY模擬斷路器主要用于電力系統斷電保護裝置或成套繼電保護屏的整組試驗,可真實(shí)地模擬斷路器的跳合閘時(shí)間。在整組試驗時(shí)模擬壓斷路器的跳閘及合閘,以避免由于重復的整組試驗成斷路器反復分合帶來(lái)的不良影響。參數◎供電電源AC200V±10%;◎跳合閘操作為電源電壓:DC220V、DC110V;◎跳合閘阻抗選擇400Ω、200Ω、110Ω;◎合閘時(shí)間選擇:20-200ms;◎跳閘時(shí)間選擇:20-100ms;◎模擬斷路器常閉/常開(kāi)接點(diǎn)容...

  • 201812-6
    譜儀/譜儀 型號:DP-821C

    譜儀/譜儀型號:DP-821CDP-821C型新譜儀是臺電化學(xué)分析儀器,可分別記錄電流--電位曲線(xiàn)、半微分曲線(xiàn)、1.5次微分曲線(xiàn)、2.5次微分曲線(xiàn)及電流--時(shí)間曲線(xiàn);可行單掃、循環(huán)伏安、溶出法、記時(shí)電流法測定,也可作為壓液相色譜和毛細管電泳電流檢測器。標:*掃描幅度:-2.5V~+2.5V*起始電位:-2.5V~+2.5V*電流量程:10pA~20mA*富集時(shí)間:0.1~9.9min*檢測下限:陰:5×10-8mol/L溶出法:10-11mol/L*外形尺寸:440×320×...

  • 201812-5
    良導體導熱系數測量實(shí)驗儀 型號;DP-FD-CHM-A

    良導體導熱系數測量實(shí)驗儀型號;DP-FD-CHM-A導熱系數是表征物質(zhì)熱傳導性質(zhì)的物理量。熱傳導是熱交換的三種(熱傳導、對流和輻射)基本形式之,是程熱物理、材料科學(xué)、固體物理及能源、環(huán)保等各個(gè)研究域的課題,材料的導熱機理在很大程度上取決于它的微觀(guān)結構,熱量的傳遞依靠原子、分子圍繞平衡位置的振動(dòng)以及自由電子的遷移,在金屬中電子流起支配作用,在緣體和大分半導體中則以晶格振動(dòng)起主導作用。在科學(xué)實(shí)驗和程中,所用材料的導熱系數都需要用實(shí)驗的方法測定。本實(shí)驗儀采用穩定流動(dòng)法測量良導體(H...

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